Tellurure de bismuth(III)

Tellurure de bismuth(III)
Image illustrative de l’article Tellurure de bismuth(III)

Structure cristalline du tellurure de bismuth
(les atomes de bismuth sont en violet)
Identification
No CAS 1304-82-1
No ECHA 100.013.760
No CE 215-135-2
PubChem 24884204 (Bi4Te6)
SMILES
InChI
Apparence poudre grise
Propriétés chimiques
Formule Bi2Te3  [Isomères]
Masse molaire[1] 800,76 ± 0,09 g/mol
Bi 52,2 %, Te 47,81 %,
Propriétés physiques
T° fusion 573 °C
Masse volumique 7,642 g·cm-3
Précautions
SGH[2]
SGH07 : Toxique, irritant, sensibilisant, narcotique
Attention
H302, H312, H315, H319, H332, H335, P261, P280 et P305+P351+P338
Composés apparentés
Autres cations Tellurure d'arsenic
Tellurure d'antimoine
Autres anions Oxyde de bismuth(III)
Sulfure de bismuth(III)
Séléniure de bismuth
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
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Le tellurure de bismuth(III), ou plus simplement tellurure de bismuth, est un composé chimique de formule Bi2Te3, existant également sous forme d'anions Bi4Te6− dans des alliages tels que le CsBi4Te6[3],[4],[5].

Il s'agit d'une poudre grise cristallisée semiconductrice qui présente un fort effet de refroidissement thermoélectrique (effet Peltier).

Les cristaux sont aisément clivables le long de l'axe trigonal car les atomes de tellure ne sont maintenus ensemble que par des liaisons de van der Waals, de sorte que les applications à base de tellurure de bismuth nécessitent l'emploi de matériaux multicristallins. De plus, le coefficient Seebeck du Bi2Te3 devient négligeable à température ambiante, de sorte que les matériaux utilisés pour la production d'électricité à température ambiante doivent être des alliages de bismuth, d'antimoine, de tellure et de sélénium.

  1. ↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. ↑ SIGMA-ALDRICH
  3. ↑ (en) Duck-Young Chung, Tim Hogan, Paul Brazis, Melissa Rocci-Lane, Carl Kannewurf, Marina Bastea, Ctirad Uher et Mercouri G. Kanatzidis, « CsBi4Te6: A High-Performance Thermoelectric Material for Low-Temperature Applications », Science, vol. 287, no 5455,‎ , p. 1024-1027 (ISSN 1095-9203, lire en ligne) DOI 10.1126/science.287.5455.1024
  4. ↑ (en) P. Larson, S. D. Mahanti, D.-Y. Chung et M. G. Kanatzidis, « Electronic structure of CsBi4Te6: A high-performance thermoelectric at low temperatures », Physical Review B, vol. 65, no 4,‎ , p. 045205-045209 (lire en ligne) DOI 10.1103/PhysRevB.65.045205
  5. ↑ (en) W. Luo, J. Souza de Almeida, J.M. Osorio-Guillen et R. Ahuja, « Electronic structure of a thermoelectric material: CsBi4Te6 », Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 69, no 9,‎ , p. 2274-2276 (lire en ligne) DOI 10.1016/j.jpcs.2008.04.010